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KF10N60F-U/PS

KEC
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制造商编号:
KF10N60F-U/PS
制造商:
KEC
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-射频
商品描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:730mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):46V 类型:N沟道
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制造商型号

KF10N60F-U/PS

制造商

KEC

商品描述

连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:730mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):46V 类型:N沟道

漏源电压(Vdss)

600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)

10A

栅源极阈值电压

4.5V @ 250uA

漏源导通电阻

730mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)

46V

类型

N沟道

包装方式

管装

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KF10N60F-U/PS

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型号:KF10N60F-U/PS

品牌:KEC

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