SE4606L
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- 制造商编号：
- SE4606L
- 制造商：
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,5A 漏源电压（Vdss）：20V,18V 栅源极阈值电压：650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻：32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道
- 渠道：
- 自营
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥0.685365 | ￥3.43 |
| 50 | ￥0.56735 | ￥28.37 |
| 150 | ￥0.508343 | ￥76.25 |
| 500 | ￥0.464087 | ￥232.04 |
| 2500 | ￥0.357875 | ￥894.69 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SE4606L
制造商
SINO-IC(光宇睿芯)
商品描述
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,5A 漏源电压（Vdss）：20V,18V 栅源极阈值电压：650mV @ 1mA(标准) 漏源导通电阻：32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W,2W 类型：N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）
20V,18V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）
7A,5A
栅源极阈值电压
650mV @ 1mA(标准)
漏源导通电阻
32mΩ @ 4.1A,2.5V;42mΩ @ 4.9A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）
3W,2W
类型
N沟道和P沟道
包装方式
编带
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注
SE4606L品牌厂家：SINO-IC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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、SE4606L
数据手册PDF。
SE4606L
型号：SE4606L
品牌：SINO-IC
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥0.685365 |
| 50+： | ￥0.56735 |
| 150+： | ￥0.508343 |
| 500+： | ￥0.464087 |
| 2500+： | ￥0.357875 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00