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制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 750 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 74 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 37.8 nC
耗散功率 155 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0UJ4C075060K4S
型号:UJ4C075060K4S
品牌:UnitedSiC
供货:锐单
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