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制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
下降时间 7 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ3426EV-T1_GE3
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0SQ3426EV-T1_BE3
型号:SQ3426EV-T1_BE3
品牌:Vishay Siliconix
供货:锐单
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