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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 8.7 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF9510PBF
单位重量 2 g
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0IRF9510PBF-BE3
型号:IRF9510PBF-BE3
品牌:Vishay Siliconix
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