SIDR510EP-T1-RE3
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- 制造商编号：
- SIDR510EP-T1-RE3
- 制造商：
- Vishay Siliconix(威世)
- 产品类别：
- 未分类
- 商品描述：
- N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
- 渠道：
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 148 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 57 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 24 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
SIDR510EP-T1-RE3 同类别型号
注
SIDR510EP-T1-RE3品牌厂家：Vishay Siliconix
，所属分类： 未分类
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替代型号
、SIDR510EP-T1-RE3
数据手册PDF。
SIDR510EP-T1-RE3
型号：SIDR510EP-T1-RE3
品牌：Vishay Siliconix
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00