SIHP25N60EFL-BE3
库存 ：968
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 127 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 39 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 47 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP25N60EFL-GE3
单位重量 2 g
SIHP25N60EFL-BE3 同类别型号
注
SIHP25N60EFL-BE3品牌厂家：Vishay Siliconix
，所属分类： 未分类
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替代型号
、SIHP25N60EFL-BE3
数据手册PDF。
SIHP25N60EFL-BE3
型号：SIHP25N60EFL-BE3
品牌：Vishay Siliconix
供货：锐单
库存：968 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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