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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 + 20 V, - 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 48 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
发货限制:
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0SIR4606DP-T1-GE3
型号:SIR4606DP-T1-GE3
品牌:Vishay Siliconix
供货:锐单
单价:
货期:7-10天
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