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制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 8.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.9 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFR210TRLPBF
单位重量 330 mg
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0IRFR210TRLPBF-BE3
型号:IRFR210TRLPBF-BE3
品牌:Vishay Siliconix
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