IPB100N08S2L-07
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规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 246 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
上升时间 56 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 19 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000219053 IPB1N8S2L7XT IPB100N08S2L07ATMA1
单位重量 4 g
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注
IPB100N08S2L-07品牌厂家：Infineon Technologies
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IPB100N08S2L-07
型号：IPB100N08S2L-07
品牌：Infineon Technologies
供货：锐单
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