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制造商 GaN Systems
商标名 GaNPX
商标 GaN Systems
技术 GaN-on-Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 7 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 3.3 nC
耗散功率 -
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
晶体管类型 E-HEMT Power Transistor
开发套件 GS61004B-EVBCD, GSWP050W-EVBPA
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 GS61004B-E01-MR
单位重量 403.068 mg
品牌:GaN systems
价格:¥88.826503
品牌:GaN systems
价格:¥95.668955
品牌:GaN systems
价格:¥572.11067
品牌:GaN systems
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0GS61004B-MR
型号:GS61004B-MR
品牌:GaN systems
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