
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.205451 | ¥616.35 |
| 6000 | ¥0.18528 | ¥1111.68 |
| 15000 | ¥0.161134 | ¥2417.01 |
| 30000 | ¥0.144997 | ¥4349.91 |
| 75000 | ¥0.128919 | ¥9668.93 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
配置 Single
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 4.7 kOhms
典型电阻器比率 0.1
直流集电极 80
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 100 mA
耗散功率 100 mW
集电极—基极电压 50 V
发射极 - 基极电压 5 V
最大直流电集电极电流 100 mA
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格 AEC-Q101
类型 NPN Epitaxial Silicon Transistor
单位重量 28 mg
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0RN1306,LF
型号:RN1306,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.205451 |
| 6000+: | ¥0.18528 |
| 15000+: | ¥0.161134 |
| 30000+: | ¥0.144997 |
| 75000+: | ¥0.128919 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00