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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TPT5609-C-AP
制造商
MCC(美微科)
商品描述
DIODE
包装
Tape & Box (TB)
系列
-
零件状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1A
电压 - 集射极击穿（最大值）
20V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
500mV @ 80mA, 800mA
电流 - 集电极截止（最大值）
1µA (ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
120 @ 500mA, 2V
功率 - 最大值
750mW
频率 - 跃迁
190MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商器件封装
TO-92
TPT5609-C-AP 同类别型号
注
TPT5609-C-AP
型号：TPT5609-C-AP
品牌：MCC
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
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