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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN, PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 40 V, - 40 V
集电极—基极电压 130 V, - 45 V
发射极 - 基极电压 7 V, - 7 V
饱和电压 135 mV, - 175 mV
最大直流电集电极电流 3.5 A, - 3 A
耗散功率 1.7 W
增益带宽产品 190 MHz, 270 MHz
直流集电极 300 at 10 mA, 2 V at NPN, 280 at 1 A, 2 V at NPN, 40 at 3.5 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 20 at 3 A, 2 V at PNP
直流电流增益(Max) 300 at 10 mA, 2 V
技术 Si
高度 1.3 mm
长度 3.1 mm
宽度 1.8 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 15 mg
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0ZXTC2063E6TA
型号:ZXTC2063E6TA
品牌:DIODES
供货:锐单
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