NTZD5110NT1G
库存 ：7736
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.660323 | ￥5.66 |
| 10 | ￥4.054016 | ￥40.54 |
| 100 | ￥2.048426 | ￥204.84 |
| 500 | ￥1.814671 | ￥907.34 |
| 1000 | ￥1.412175 | ￥1412.17 |
| 2000 | ￥1.263936 | ￥2527.87 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 294 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 700 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.3 ns
上升时间 7.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 63.7 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
NTZD5110NT1G 同类别型号
注
NTZD5110NT1G
型号：NTZD5110NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：7736 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.660323 |
| 10+： | ￥4.054016 |
| 100+： | ￥2.048426 |
| 500+： | ￥1.814671 |
| 1000+： | ￥1.412175 |
| 2000+： | ￥1.263936 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.66