NTZD5110NT1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.735099 | ￥4.74 |
| 10 | ￥3.581677 | ￥35.82 |
| 100 | ￥2.23521 | ￥223.52 |
| 500 | ￥1.529074 | ￥764.54 |
| 1000 | ￥1.176247 | ￥1176.25 |
| 2000 | ￥1.058719 | ￥2117.44 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 294 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 700 pC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 7.3 ns
上升时间 7.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 63.7 ns
典型接通延迟时间 12 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
NTZD5110NT1G 相关产品
NTZD5110NT1G 同类别型号
注
NTZD5110NT1G
型号：NTZD5110NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.735099 |
| 10+： | ￥3.581677 |
| 100+： | ￥2.23521 |
| 500+： | ￥1.529074 |
| 1000+： | ￥1.176247 |
| 2000+： | ￥1.058719 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.74