NTLJD3115PT1G

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 3.3 A

漏源电阻 106 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 6.2 nC

耗散功率 1.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 13.2 ns, 15 ns

上升时间 13.2 ns, 15 ns

晶体管类型 2 P-Channel

典型关闭延迟时间 13.7 ns, 19.8 ns

典型接通延迟时间 5.2 ns, 5.5 ns

高度 0.75 mm

长度 2 mm

宽度 2 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8.800 mg