NTMD6N02R2G

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 5.07 A

漏源电阻 35 mOhms

栅极电压 - 12 V, + 12 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 12 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 60 ns, 80 ns

正向跨导（Min） 10 S

上升时间 35 ns, 50 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 45 ns

典型接通延迟时间 11 ns, 12 ns

高度 1.5 mm

长度 5 mm

宽度 4 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 74 mg