NVTJD4001NT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.58982 | ￥1769.46 |
| 6000 | ￥0.557052 | ￥3342.31 |
| 15000 | ￥0.507873 | ￥7618.10 |
| 30000 | ￥0.475161 | ￥14254.83 |
| 75000 | ￥0.425981 | ￥31948.58 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 272 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 82 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
NVTJD4001NT1G 同类别型号
注
NVTJD4001NT1G
型号：NVTJD4001NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.58982 |
| 6000+： | ￥0.557052 |
| 15000+： | ￥0.507873 |
| 30000+： | ￥0.475161 |
| 75000+： | ￥0.425981 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00