货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.721355 | ¥2164.07 |
6000 | ¥0.681279 | ¥4087.67 |
15000 | ¥0.621132 | ¥9316.98 |
30000 | ¥0.581126 | ¥17433.78 |
75000 | ¥0.520978 | ¥39073.35 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 272 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 82 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
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0NVTJD4001NT1G
型号:NVTJD4001NT1G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.721355 |
6000+: | ¥0.681279 |
15000+: | ¥0.621132 |
30000+: | ¥0.581126 |
75000+: | ¥0.520978 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00