NVTJD4001NT1G
库存 ：608063
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.563667 | ￥5.56 |
| 10 | ￥4.22602 | ￥42.26 |
| 100 | ￥2.631496 | ￥263.15 |
| 500 | ￥1.800497 | ￥900.25 |
| 1000 | ￥1.384998 | ￥1385.00 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 1.3 nC
耗散功率 272 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 82 ns
正向跨导（Min） 80 mS
上升时间 23 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 94 ns
典型接通延迟时间 17 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
NVTJD4001NT1G 同类别型号
注
NVTJD4001NT1G
型号：NVTJD4001NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：608063 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.563667 |
| 10+： | ￥4.22602 |
| 100+： | ￥2.631496 |
| 500+： | ￥1.800497 |
| 1000+： | ￥1.384998 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.56