CTLDM303N-M832DS TR
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- 制造商编号：
- CTLDM303N-M832DS TR
- 制造商：
- CENTRAL(美国中央)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
- 渠道：
- digikey
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货期： 8周-10周
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整装： ￥10
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| 数量 | 价格 | 总计 |
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
CTLDM303N-M832DS TR
制造商
CENTRAL(美国中央)
商品描述
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
包装
Cut Tape (CT)
系列
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零件状态
Obsolete
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
FET 功能
Standard
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
40mOhm @ 1.8A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
590pF @ 10V
功率 - 最大值
1.65W
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/外壳
8-TDFN Exposed Pad
供应商器件封装
TLM832DS
CTLDM303N-M832DS TR 同类别型号
注
CTLDM303N-M832DS TR品牌厂家：CENTRAL
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CTLDM303N-M832DS TR
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CTLDM303N-M832DS TR
型号：CTLDM303N-M832DS TR
品牌：CENTRAL
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
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