AS4C64M16MD1-6BIN

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AS4C64M16MD1-6BIN概述

DRAM 1G 1.8V 166MHz 64M x 16 Mobile DDR

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 60-FBGA(8x10)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA


贸泽:
DRAM 1G 1.8V 166Mhz 64M x 16 Mobile DDR


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 1G-Bit 64M x 16 1.8V 60-Pin FBGA


富昌:
1G MOBILE DDR LPDDR, 64Mx16, BGA, INDUSTRIAL TEMP.


儒卓力:
**Mobile DDR 1Gb 64Mx16 166MHz **


AS4C64M16MD1-6BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 166 MHz

存取时间 5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

AS4C64M16MD1-6BIN引脚图与封装图
AS4C64M16MD1-6BIN引脚图
AS4C64M16MD1-6BIN封装图
AS4C64M16MD1-6BIN封装焊盘图
在线购买AS4C64M16MD1-6BIN
型号: AS4C64M16MD1-6BIN
描述:DRAM 1G 1.8V 166MHz 64M x 16 Mobile DDR
替代型号AS4C64M16MD1-6BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AS4C64M16MD1-6BIN

Alliance Memory 联盟记忆

当前型号

当前型号

AS4C64M16MD1-6BINTR

联盟记忆

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AS4C64M16MD1-6BIN和AS4C64M16MD1-6BINTR的区别

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