AS4C64M16MD1-6BIN和AS4C64M16MD1-6BINTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C64M16MD1-6BIN AS4C64M16MD1-6BINTR

描述 DRAM 1G 1.8V 166MHz 64M x 16 Mobile DDR动态随机存取存储器 1G 1.8V 166Mhz 64M x 16 Mobile DDR

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 FBGA-60 TFBGA-60

安装方式 Surface Mount -

存取时间 5 ns 6 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

时钟频率 166 MHz -

电源电压(Max) 1.95 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 FBGA-60 TFBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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