AS4C64M32MD1-5BIN

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AS4C64M32MD1-5BIN概述

DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-90

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb 64M x 32 Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA


贸泽:
DRAM 2G, 1.8V, 200Mhz 64M x 32 Mobile DDR


AS4C64M32MD1-5BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 200 MHz

存取时间 5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-90

外形尺寸

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS4C64M32MD1-5BIN
型号: AS4C64M32MD1-5BIN
描述:DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-90
替代型号AS4C64M32MD1-5BIN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

当前型号

AS4C64M32MD1-5BINTR

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