AS4C64M32MD1-5BIN和AS4C64M32MD1-5BINTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C64M32MD1-5BIN AS4C64M32MD1-5BINTR

描述 DDR DRAM, 64MX32, 5ns, CMOS, PBGA90, 0.8MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-90动态随机存取存储器 2G, 1.8V, 200Mhz 64M x 32 Mobile DDR

数据手册 --

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

安装方式 Surface Mount -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 200 MHz -

存取时间 5 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -

电源电压(Max) 1.95 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 VFBGA-90 VFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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