AON6508概述
N沟道,30V,32A,5mΩ@4.5V
表面贴装型 N 通道 29A（Ta），32A（Tc） 4.2W（Ta），41W（Tc） 8-DFN（5x6）
立创商城:
N沟道 30V 32A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 29A/32A 8DFN
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin DFN T/R
DeviceMart:
MOSFET N CH 30V 32A DFN5X6
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 29A 8DFN
AON6508中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 4.2W Ta, 41W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 2010pF @15VVds
额定功率Max 4.2 W
下降时间 7.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4.2W Ta, 41W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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