ATF-531P8-TR2

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ATF-531P8-TR2中文资料参数规格
技术参数

频率 2 GHz

额定电压DC 4.00 V

额定电流 300 mA

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 4.00 V

连续漏极电流Ids 300 mA

输出功率 24.5 dBm

增益 20 dB

测试电流 135 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LPCC-8

外形尺寸

封装 LPCC-8

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ATF-531P8-TR2
型号: ATF-531P8-TR2
制造商: AVAGO Technologies 安华高科
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 Transistor GaAs High Linearity
替代型号ATF-531P8-TR2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ATF-531P8-TR2

AVAGO Technologies 安华高科

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