APT7F120B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 6.60 A
耗散功率 335 W
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 6.60 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 335W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT7F120B
型号： APT7F120B
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：N沟道FREDFET 1200V ， 7A ， 2.4Ω最大， TRR ≤190ns N-Channel FREDFET 1200V, 7A, 2.4Ω Max, trr ≤190ns
替代型号APT7F120B
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT7F120B Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
STW6N120K3 意法半导体 | 功能相似 | APT7F120B和STW6N120K3的区别 |