耗散功率 219 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 2267pF @25VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 219W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
APT30N60BC6
Microsemi 美高森美
当前型号
APT30N60SC6
美高森美
功能相似
IXKH30N60C5
IXYS Semiconductor