APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 370000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with power mos v technology.
额定电压DC 200 V
额定电流 67.0 A
耗散功率 370 W
输入电容 6.12 nF
栅电荷 225 nC
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 6120pF @25VVds
额定功率Max 370 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT20M38BVRG Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
APT20M38BVR 美高森美 | 功能相似 | APT20M38BVRG和APT20M38BVR的区别 |
APT20M38BVFR 美高森美 | 功能相似 | APT20M38BVRG和APT20M38BVFR的区别 |