APT20M38BVFR和APT20M38BVRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT20M38BVFR APT20M38BVRG APT20M38BVR

描述 TO-247 N-CH 200V 67AAPT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道 增强型 功率 MOSFETs-TO-247TO-247 N-CH 200V 67A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

引脚数 - 3 3

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 67A 67.0 A 67A

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 67.0 A -

耗散功率 - 370 W -

输入电容 - 6.12 nF -

栅电荷 - 225 nC -

上升时间 - 21 ns 21 ns

输入电容(Ciss) - 6120pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 370 W -

下降时间 - 10 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 370W (Tc) 370000 mW

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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