APT33N90JCU3中文资料参数规格
技术参数
正向电压 3.1 V
漏源极电阻 120 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 290 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 290W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT33N90JCU3
型号： APT33N90JCU3
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：ISOTOP®降压斩波超级结MOSFET功率模块 ISOTOP® Buck chopper Super Junction MOSFET Power Module