APT50M85JVR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 50.0 A
极性 N-CH
耗散功率 500 W
输入电容 10.8 nF
栅电荷 535 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 9000pF @25VVds
额定功率Max 500 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
外形尺寸
封装 SOT-227
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买APT50M85JVR
型号： APT50M85JVR
制造商：
Microsemi
美高森美
描述：功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
替代型号APT50M85JVR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
APT50M85JVR Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFN64N50P IXYS Semiconductor | 功能相似 | APT50M85JVR和IXFN64N50P的区别 |