对比图
型号 APT50M85JVR IXFN64N50P
描述 功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.IXYS SEMICONDUCTOR IXFN64N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw
引脚数 4 4
封装 SOT-227 SOT-227-4
额定电压(DC) 500 V 500 V
额定电流 50.0 A 64.0 A
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 500 W 700 W
输入电容 10.8 nF 8.70 nF
栅电荷 535 nC 150 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 61.0 A
上升时间 17 ns -
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 500 W 700 W
下降时间 7 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500000 mW 700W (Tc)
针脚数 - 4
漏源极电阻 - 0.085 Ω
阈值电压 - 5.5 V
漏源击穿电压 - 500 V
封装 SOT-227 SOT-227-4
长度 - 38.23 mm
宽度 - 25.42 mm
高度 - 9.6 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)