APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 657W Tc

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 31A

输入电容Ciss 14560pF @25VVds

额定功率Max 657 W

耗散功率Max 657W Tc

封装参数

安装方式 Screw

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: APTM120DA30T1G
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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