APTM50HM75STG

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APTM50HM75STG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 46A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 5600pF @25VVds

额定功率Max 357 W

下降时间 77 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 357000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 20

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM50HM75STG
型号: APTM50HM75STG
描述:全桥系列和并联二极管的MOSFET功率模块 Full bridge Series & parallel diodes MOSFET Power Module

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