AP2319GN-HF-3TR

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AP2319GN-HF-3TR中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.38 W

漏源极电阻 0.097 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.38 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买AP2319GN-HF-3TR
型号: AP2319GN-HF-3TR
制造商: Advanced Power Electronics 富鼎先进电子
描述:ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP  AP2319GN-HF-3TR  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -30 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -1 V
替代型号AP2319GN-HF-3TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

AP2319GN-HF-3TR

Advanced Power Electronics 富鼎先进电子

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