APTC90H12SCTG

APTC90H12SCTG概述

全 - 桥系列和碳化硅二极管并联超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

Mosfet Array 4 N-Channel H-Bridge 900V 30A 250W Chassis Mount SP4


得捷:
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4


贸泽:
Discrete Semiconductor Modules Power Module - SiC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 30A 14-Pin Case SP-4


APTC90H12SCTG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

额定功率Max 250 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 14

封装 SP-4

外形尺寸

封装 SP-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTC90H12SCTG
型号: APTC90H12SCTG
描述:全 - 桥系列和碳化硅二极管并联超级结MOSFET功率模块 Full - Bridge Series & SiC parallel diodes Super Junction MOSFET Power Module

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