P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 20-SOIC
得捷: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
贸泽: Gate Drivers Automotive HiSpd Pwr MOSFET & IGBT Driver
上升/下降时间 125ns, 50ns
输出电流 350 mA
上升时间 125 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 10V ~ 20V
电源电压Max 20 V
电源电压Min 10 V
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-20
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册