APT70GR65B2DU40参数规格_中文资料_数据手册PDF

APT70GR65B2DU40概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW 3Pin3+Tab T-MAX

IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

艾睿:
Ultra Fast NPT-IGBT with Ultra Soft Recovery Diode

APT70GR65B2DU40中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 595000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 595 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 595000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Motor Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： APT70GR65B2DU40

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 134A 595000mW 3Pin3+Tab T-MAX