APTM100DA18T1G

APTM100DA18T1G概述

升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

N-Channel 1000V 40A Tc 657W Tc Chassis Mount SP1


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 40A 12-Pin Case SP-1


APTM100DA18T1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 657W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 14800pF @25VVds

额定功率Max 657 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 657W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 12

封装 SP-1

外形尺寸

封装 SP-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买APTM100DA18T1G
型号: APTM100DA18T1G
描述:升压斩波MOSFET功率模块 Boost chopper MOSFET Power Module

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