AUIRF7341QTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

AUIRF7341QTR概述

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 3 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 55V 5.1A 2.4W 表面贴装型 8-SO

欧时:
Infineon AUIRF7341QTR

立创商城:
AUIRF7341QTR

得捷:
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC

e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 5.1 A, 0.043 ohm, SOIC, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R

儒卓力:
**N/N-CH 55V 5,1A 50mOhm SO8 **

AUIRF7341QTR中文资料参数规格

技术参数

额定功率 2.4 W

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.043 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 5.1A

上升时间 7.7 ns

输入电容Ciss 780pF @25VVds

额定功率Max 2.4 W

下降时间 12.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 4 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoid Injection, Port Injection

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买AUIRF7341QTR

型号： AUIRF7341QTR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 3 V

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