对比图
型号 AUIRF7341QTR IRF7341TRPBF AUIRF7341Q
描述 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 3 VINFINEON IRF7341TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 VINFINEON AUIRF7341Q 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2.4 W 2 W -
通道数 2 2 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.043 Ω 0.043 Ω 0.043 Ω
极性 Dual N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 2.4 W 2 W 2.4 W
阈值电压 3 V 1 V 1 V
输入电容 - 740 pF -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V -
连续漏极电流(Ids) 5.1A 4.7A 5.1A
上升时间 7.7 ns 3.2 ns 7.7 ns
热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -
输入电容(Ciss) 780pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) 780pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.4 W 2 W 2.4 W
下降时间 12.5 ns 13 ns 12.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2400 mW 2 W 2.4 W
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -