INFINEON BSC123N08NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 80 V, 10.3 mohm, 10 V, 2.8 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
欧时:
MOSFET，N沟道，80V，11A，OptiMOS3，TDSON8
得捷:
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP
儒卓力:
**N-CH 80V 55A 12mOhm TDSON-8 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
针脚数 8
漏源极电阻 10.3 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 66 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1430pF @40VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 66 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8-5
长度 5.35 mm
宽度 6.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99