CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 30V,8.7mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 5.4°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%
## 应用
通道数 1
漏源极电阻 11.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 998pF @15VVds
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 29W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSONP-8
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
高度 0.9 mm
封装 VSONP-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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