对比图
型号 CSD17579Q3A RQ3E180BNTB CSD17579Q3AT
描述 CSD17579Q3A 30 V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET场效应管(MOSFET) RQ3E180BNTB HSMT-8N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 11.8 mΩ - 0.0087 Ω
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 2.5 W 2 W 29 W
阈值电压 1.1 V - 1.5 V
漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V
漏源击穿电压 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 20A - 20A
上升时间 5 ns - 5 ns
输入电容(Ciss) 998pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds) 768pF @15V(Vds)
下降时间 1 ns - 1 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 29W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
长度 3.15 mm - 3.5 mm
宽度 3 mm - 3.5 mm
高度 0.9 mm - 0.9 mm
封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 VSONP-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15