N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
### MOSFET ,Texas Instruments
得捷:
CSD16409Q3 25V, N CHANNEL NEXFET
立创商城:
N沟道 25V 15A
德州仪器TI:
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 12.4 mOhm
欧时:
### N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD16409Q3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 25 V, 6.2 mohm, 4.5 V, 2 V
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this CSD16409Q3 power MOSFET from Texas Instruments. Its maximum power dissipation is 2600 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with nexfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 6.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.6 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 10.6 ns
输入电容Ciss 800pF @12.5VVds
额定功率Max 2.6 W
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD16409Q3 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16410Q5A 德州仪器 | 功能相似 | CSD16409Q3和CSD16410Q5A的区别 |