对比图
型号 CSD16409Q3 CSD16410Q5A FDBL86210-F085
描述 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETN 通道 NexFET™ 功率 MOSFETON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDBL86210_F085, 169 A, Vds=150 V, 8引脚 PSOF封装
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 VSON-FET-8 H-PSOF
通道数 1 1 -
漏源极电阻 6.2 mΩ 0.0068 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 2.6 W 3 W -
阈值电压 2 V 1.9 V -
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V -
漏源击穿电压 - 25 V -
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 59.0 A -
上升时间 10.6 ns 10.7 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 800pF @12.5V(Vds) 740pF @12.5V(Vds) 5805pF @75V(Vds)
额定功率(Max) 2.6 W 3 W -
下降时间 3.4 ns 3.6 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.6W (Ta) 3W (Ta) 500 W
针脚数 8 - -
长度 3.4 mm 6 mm 10.48 mm
宽度 3.4 mm 4.9 mm 9.9 mm
高度 1.1 mm 1 mm 2.4 mm
封装 VSON-Clip-8 VSON-FET-8 H-PSOF
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -