Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A 8Pin PowerDI T/R
N-Channel 80V 9.5A Ta, 35A Tc 2.2W Ta, 30W Tc Surface Mount PowerDI3333-8
得捷:
MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
贸泽:
MOSFET 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A 8-Pin PowerDI T/R
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 9.5A
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 1949pF @40VVds
额定功率Max 2.2 W
下降时间 3.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
封装 PowerDI-3333-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DMT8012LFG-13 Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
DMT8012LFG-7 美台 | 完全替代 | DMT8012LFG-13和DMT8012LFG-7的区别 |