DMT8012LFG-13和DMT8012LFG-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMT8012LFG-13 DMT8012LFG-7

描述 Trans MOSFET N-CH 80V 9.5A 8Pin PowerDI T/RMOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.2 W 2.2 W

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 9.5A 9.5A

上升时间 3.8 ns 3.8 ns

输入电容(Ciss) 1949pF @40V(Vds) 1949pF @40V(Vds)

下降时间 3.5 ns 3.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 30W (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc)

额定功率(Max) 2.2 W -

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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