N沟道 600V 2A
N-Channel 600 V 2A Tc 2.5W Ta, 45W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
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N沟道 600V 2A
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MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
额定电压DC 600 V
额定电流 2.00 A
漏源极电阻 4.70 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 45W Tc
输入电容 350 pF
栅电荷 11.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD2N60TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD2N60TM 飞兆/仙童 | 完全替代 | FQD2N60TF和FQD2N60TM的区别 |